Hentikan pembaziran tenaga: Cara yang lebih baik untuk memanaskan wafer
Dalam proses pemprosesan wafer, pembaziran tenaga merupakan kelemahan dalam reka bentuk peralatan tersebut. Apabila kita membina pemanas ini, kita bukan sekadar ingin menghasilkan haba semata-mata. Yang penting adalah memastikan foton-foton tersebut sampai ke tempat yang sepatutnya, iaitu pada permukaan wafer.
Masalahnya ialah lampu kuarza biasa akan memancarkan tenaga ke semua arah. Jika tiada cara untuk memantulkan tenaga tersebut, separuh daripada tenaga yang dihasilkan akan hilang begitu sahaja. Ini merupakan pembaziran tenaga.
Rahsia emas
Untuk mengatasi masalah ini, kita gunakan lapisan reflektif yang dilapisi dengan emas. Mengapa emas? Kerana ia mampu memantulkan sinar inframerah dengan lebih baik berbanding aluminium atau keluli yang telah dipolish. Dengan menambah lapisan emas yang nipis pada reflektor, kita dapat memantulkan sinar inframerah tersebut kembali ke permukaan wafer. Ini akan meningkatkan intensiti haba yang diterima oleh wafer, tanpa perlu meningkatkan kuasa yang digunakan. Pada dasarnya, ini bertindak seperti menukar sumber haba yang tersebar menjadi pancaran haba yang terarah.
Cabaran dan cara mengatasinya
Walau bagaimanapun, peningkatan kadar refleksi bermakna kepadatan haba juga akan meningkat. Jika kita menggunakan sistem yang dilapisi emas dengan kuasa maksimum, suhu wafer akan meningkat dengan cepat. Inilah bahagian yang rumit. Kita perlu memastikan bahawa pengawal PID dan sistem penyejukan berfungsi dengan baik. Jika sistem penyejukan tidak mencukupi, suhu wafer akan melebihi had yang ditetapkan semasa proses pemanasan. Saya sering melihat situasi ini berlaku—para jurutera menggunakan reflektor emas tetapi lupa untuk menyesuaikan kadar pemanasan.
Memastikan ketahanan peralatan
Kabel yang digunakan juga perlu tahan terhadap haba. Kami menggunakan kabel yang dilapisi dengan Teflon, kerana ia tidak cair atau mengeluarkan gas apabila bahagian peralatan menjadi sangat panas. Ini memastikan segala-galanya tetap stabil.
Hasilnya ialah pengganti yang efektif untuk menguruskan haba, serta memberikan profil termal yang lebih baik. Tiada lagi kawasan sejuk yang mengganggu proses pemprosesan. Proses pemprosesan dapat dilakukan secara konsisten di seluruh permukaan wafer berukuran 300mm.