Hentikan Pemborosan Energi: Cara yang Lebih Baik untuk Memanaskan Wafer
Dalam proses pengolahan wafer, pemborosan energi merupakan masalah yang disebabkan oleh kesalahan desain. Saat kita membuat pemanas untuk proses ini, kita tidak hanya mencari cara untuk menghasilkan panas saja. Yang lebih penting adalah memastikan bahwa foton-foton tersebut sampai ke tempat yang tepat, yaitu permukaan wafer.
Masalahnya adalah lampu kuarsa biasa memancarkan energi ke segala arah. Jika kita tidak memiliki sistem untuk memantulkan energi tersebut, setengah dari energi tersebut akan hilang begitu saja. Itu merupakan pemborosan energi.
Rahasia Emas
Untuk mengatasi hal ini, kita menggunakan lapisan reflektif berbahan emas. Mengapa emas? Karena emas jauh lebih efektif dalam memantulkan sinar inframerah dibandingkan aluminium atau baja yang telah dipolis. Dengan menambahkan lapisan tipis emas pada reflektor, kita dapat memantulkan radiasi inframerah kembali ke permukaan wafer. Dengan demikian, energi panas dapat difokuskan ke titik yang tepat. Anda akan mendapatkan panas yang lebih banyak pada wafer, tanpa perlu meningkatkan arus listrik. Dengan kata lain, sumber panas yang tersebar akhirnya menjadi sinar yang terarah.
Kendala dan Cara Mengatasinya
Semakin tinggi tingkat refleksi, semakin tinggi pula kepadatan panasnya. Jika Anda menggunakan sistem berlapis emas dengan daya maksimal, suhu wafer akan naik dengan cepat. Ini merupakan tantangan yang perlu diatasi. Anda perlu memastikan bahwa kontroler PID dan sistem pendinginan Anda mampu mengatasi situasi ini. Jika sistem pendinginannya lemah, suhu wafer akan melebihi batas yang ditentukan selama proses pemanasan. Saya sering melihat hal ini terjadi—insinyur menggunakan reflektor berbahan emas, tetapi lupa menyesuaikan kecepatan pemanasan.
Membuat Sistem Ini Bertahan Lama
Kabel-kabel yang digunakan juga harus mampu bertahan terhadap panas yang tinggi. Kami menggunakan kabel berlapis Teflon, karena kabel ini tidak akan meleleh atau mengeluarkan gas ketika permukaannya panas. Dengan demikian, semuanya tetap stabil.
Hasilnya adalah sistem pengganti yang mampu menangani panas yang tinggi, sehingga memberikan profil termal yang lebih baik. Tidak ada lagi area dingin yang mengganggu proses pengolahan wafer. Proses pengolahan pun akan berjalan secara konsisten di seluruh permukaan wafer berukuran 300 mm.